C’est une diode Schottky en carbure de silicium orientée vers le haut de gamme que Nexperia vient de présenter sous la référence PSC1065K. Compatible avec les environnements industriels, cette diode SiC 650V 10A convient par exemple aux alimentations des centres de données. La PSC1065K est proposée en boîtier traversant Real-2-Pin (R2P) TO-220-2 ou TO-247-2, ou montable en surface DPAK et D²PAK R2P. Sa structure propriétaire dite MPS (merged PiN Schottky) la rend, selon Nexperia, plus robuste en cas de pics de courant, ce qui permet d’alléger le montage de protection. Le fabricant compte enrichir rapidement son catalogue de diodes SiC 650V et 1200V soutenant des courants compris entre 6 et 20A, y compris avec des modèles certifiés pour l’automobile.