Il s'agit d'une première dans l'industrie selon Infineon Technologies : le Bavarois échantillonne une gamme de transistors au nitrure de gallium (GaN) industriels intégrant une diode Schottky. Ces transistors CoolGaN G5 simplifient le montage en évitant d'avoir recours à une diode externe, utilisée pour réduire les pertes en conduction inverse dues à la tension V_SD des composants GaN. Cela permettrait également selon Infineon de rendre ces transistors compatibles avec un spectre étendu de circuits de commande de grille et d'assouplir les contraintes en matière de temps morts durant la commutation. Les premiers transistors GaN à diode Schottky intégrée de l'Allemand sont des modèles 100V 1,5mΩ encapsulés dans un boîtier PQFN de 3x5mm.