D’après le Californien EPC, son dernier transistor Fet 350V en nitrure de gallium (GaN) référencé EPC2050 permettrait de réaliser un montage de puissance dix fois plus compact qu’avec les alternatives en silicium. Mesurant 1,95×1,95mm, ce circuit présente une résistance à l’état passant R_DS(on) de 80mΩ et un courant de sortie pulsé de 26A. Il sied par exemple à la conversion DC-DC, à la commande de moteurs et aux redresseurs DC-AC, ainsi qu’aux applications fonctionnant sur secteur notamment aux Etats-Unis sur 120V_AC. Il est vendu 3,05$ pièce par lots de 1000 et accompagné d’une carte de développement baptisée EPC90121.