Toshiba a enrichi son catalogue de transistors Mosfet 650V à canal N avec des modèles encapsulés en boîtier TO-247 et disposant d’une diode très rapide. Concrètement, le délai de recouvrement inverse est réduit de 65%, à 160ns pour le TK042N65Z5 et 115ns pour le TK095N65Z5. La charge de recouvrement inverse et le courant de coupure sont aussi fortement réduits. In fine, un montage LLC de 1,5kW bâti autour du TK042N65Z5 voit son rendement amélioré de 0,4% par rapport au précédent TK62N60W5.

Les TK042N65Z5 et TK095N65Z5 sont caractérisés par des résistances à l’état passant respectives de 42 et 95mΩ et des courants de drain de 55 et 29A. Parmi les applications visées figurent l’alimentation des centres de données et la conversion de puissance dans les bornes de charge de véhicules électriques ou les panneaux photovoltaïques.