En réduisant d’environ 10% la résistance à l’état passant de ses transistors Mosfet, la dernière technologie de conception mise au point par le Sud-Coréen Magnachip Semiconductor a accouché d’une nouvelle famille de Mosfet 600V dits Super Junction et équipés d’une diode de recouvrement. Parmi eux figure le MMQ60R044RFTH, dont la résistance s’établit à seulement 44mΩ et qui convient par exemple aux serveurs de données et aux chargeurs de véhicules électriques. Les autres modèles voient leur résistance grimper jusqu’à 1Ω. « Après ces Mosfet 600V, nous comptons introduire au cours du second semestre des Mosfet 650V et 700V eux aussi dotés d’une diode rapide », annonce YJ Kim, CEO de Magnachip.