Toshiba a utilisé son dernier process BiCD (mêlant des transistors bipolaires, Cmos, Dmos) pour fabriquer les commutateurs de puissance à huit canaux TPD2015FN (côté haut) et TPD2017FN (côté bas). Destinés à piloter des charges résistives ou inductives (moteurs, solénoïdes, lampes, etc.), ces circuits sont encapsulés dans un boîtier SSOP30 à pas de 0,65mm mesurant 9,7×7,6×1,2mm, soit une économie de surface de 29% par rapport à l’habituel SSOP24 utilisé par exemple pour les TPD2005F et TPD2007F du Japonais. Les TPD2015FN et TPD2017FN offrent une résistance à l’état passant typique de 0,4Ω et une gamme de température étendue entre -40 et 110°C.