Toshiba a mis en œuvre son procédé U-MOSX-H afin de réduire les pertes de manière significative au sein de son dernier transistor Mosfet de puissance canal N 150V. Baptisé TPH9R00CQH, ce transistor affiche une résistance à l’état passant de 9mΩ à V_GS=10V, soit 42% de moins que le modèle précédent basé sur le process U-MOSVIII-H. Les applications à fréquence élevée tireront profit de la charge de grille totale Q_G de 44nC et de la charge de commutation de grille Q_SW de 11,7nC. Le TPH9R00CQH est disponible en boîtier SOP Advance de 5x6mm et Advance(N) de 4,9×6,1mm.