« C’est le premier transistor GaN adapté aux smartphones » avance Jay Son, le CEO d’Innoscience, à propos de l’INN40W08 annoncé par le fabricant chinois. Ce transistor Hemt bidirectionnel fabriqué en nitrure de gallium sur silicium supporte jusqu’à 40V. Il présente une résistance à l’état passant de 7,8mΩ et une charge de grille typique de 12,7nC. L’INN40W08 est encapsulé dans un boîtier WLCSP de 2x2mm, compatible par exemple avec les smartphones, les chargeurs et les adaptateurs pour des montages de commutation côté haut ou de protection contre les surtensions. Innoscience vient d’ouvrir des bureaux à Santa Clara (Californie) et Louvain (Belgique).