Innoscience Technology proposait déjà dans son catalogue des transistors Hemt en nitrure de gallium sur silicium (GaN-on-Si) 650V pour des résistances à l’état passant de 140, 240 et 500mΩ. Le Chinois le complète aujourd’hui avec des modèles à 190, 350 et 600mΩ en boîtier DFN standard. « Je suis particulièrement heureux de l’ajout du 650V/190mΩ, car il est en passe de devenir la norme dans l’industrie du GaN », se réjouit Yi Sun, vice-président chargé du développement produits chez Innoscience.