Le Chinois Innoscience Technology, spécialiste du nitrure de gallium (GaN) qui s’en tenait jusqu’ici aux transistors discrets, inaugure une famille baptisée SolidGaN de circuits intégrés avec l’ISG3201, un montage en demi-pont complet associant deux transistors Hemt 100V et leur circuit de commande dans un boîtier LGA de 5×6,5×1,1mm. « Nous offrons désormais aux concepteurs le choix entre la flexibilité d’une solution discrète, et cette nouvelle approche intégrée, très compacte et simple à utiliser et à souder », explique Yi Sun, directeur général d’Innoscience America. D’autres circuits en demi-pont avec différentes tensions nominales suivront cette année.

Les transistors Hemt de l’ISG3201 présentent une résistance à l’état passant de 3,2mΩ. Le composant comprend la résistance de pilotage et les condensateurs bootstrap et V_CC et gère des courants permanents de 34A. Innoscience le destine aux convertisseurs abaisseurs, aux amplificateurs audio classe D ou encore aux convertisseurs demi-pont, pont complet ou LLC. Il permet selon le fabricant de gagner jusqu’à 20% d’espace sur le circuit imprimé par rapport à une solution GaN discrète.