Même s’il est davantage connu pour ses microcontrôleurs et ses composants analogiques, Renesas Electronics fournit également des composants de faible puissance, par exemple dans l’automobile. Le Japonais vient par exemple d’inaugurer sa dernière génération de transistors de puissance « intelligents », basés sur un nouveau process Mosfet et encapsulés dans un boîtier TO-252-7 environ 40% plus compact que le TO-263 habituel. Référencé RAJ2810024H12HPD, ce circuit de commutation côté haut présente une résistance à l’état passant de 2,3mΩ, une pompe de charge intégrée et une interface logique compatible 3,3V et 5V.

Le RAJ2810024H12HPD se distingue par sa fonction de détection de courant très précise même à faible charge, ce qui, selon Renesas, permet de repérer de plus petites anormalités. Conforme AEC-Q100, il intègre des protections contre les courts-circuits et les pics de température. Actuellement en cours d’échantillonnage, il sera disponible en volume au premier trimestre 2024.