Diodes repousse les limites des boîtiers de transistors Mosfet

Le 20/05/2022 à 9:17 par Frédéric Rémond

Un nouveau boîtier dédié aux composants de puissance compacts a été conçu par l’Américain Diodes. Référencé PowerDI 8080-5, il entend répondre aux besoins des véhicules électriques avec un encombrement de 64mm² inférieur de 40% à celui d’un TO263, et une épaisseur de 1,7mm seulement, 63% de moins que le TO263. Le lien en cuivre entre la puce et les entrées-sorties contribue à une résistance thermique jonction-boîtier de 0,36°C/W, ce qui permet au PowerDI 8080-5 de gérer jusqu’à 460A pour une densité de puissance huit fois supérieure à celle du TO263.
Premier circuit bénéficiant de ce nouveau boîtier, le DMT4M70SPGWQ est un transistor Mosfet 40V présentant une résistance à l’état passant de 0,54mΩ sous 10V, avec une charge de grille de 117nC. Il est proposé au prix de 4,99$ pièce par lots de 2000.

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