La multiplication des centres de données fonctionnant en continu constitue un challenge pour les fabricants de circuits de puissance, qui doivent en limiter les pertes énergétiques. Rohm a par exemple développé des transistors Mosfet 30 et 80V optimisés pour ces applications et sertis dans des boîtiers DFN de 5x6mm qui permettent d'accueillir des puces 65% plus grandes que les boîtiers classiques HSOP, d'où une résistance à l'état passant réduite à, respectivement, 0,53mΩ et 1,7mΩ.
En outre, le Japonais a retravaillé le clip métallique interne : le modèle 30V peut ainsi supporter 70A sous 12V durant 1ms, deux fois plus que les Mosfet conventionnels en boîtier HSOP8. Le RS7E200GB (30V) convient aux montages de conversion AC-DC secondaires et de remplacement à chaud d'alimentations 12V. Les RS7N160BH et 200BH (80V) visent, eux, la conversion AC-DC dans les alimentations de serveurs 48V.