La démocratisation de circuits de puissance en carbure de silicium (SiC) et en nitrure de gallium (GaN) s'accompagne d'avancées significatives en matière de dissipation thermique au niveau des boîtiers. Nexperia vient ainsi de lancer des transistors Mosfet SiC 1200V encapsulés dans un boîtier dit X.PAK à refroidissement par le dessus. Compact (14x18,5mm), ce boîtier combine selon le Néerlandais la facilité d'assemblage du CMS et la dissipation thermique des boîtiers traversants.

Les Mosfet concernés affichent selon les modèles une résistance à l'état passant de 30, 40 ou 60mΩ, avec des variantes à 17 et 80mΩ attendues sous peu. Grâce au boîtier X.PAK, le fabricant assure que cette valeur de résistance varie de moins de 38% entre 25 et 175°C, alors qu'elle peut aller jusqu'à doubler pour des raisons thermiques avec des boîtiers moins performants.