Vishay ne tarit pas d'éloges concernant sa dernière famille de transistors Mosfet 650V de génération 4.5. Comparés à la génération précédente, les SiHK050N65E arboreraient une résistance à l'état passant inférieure de 48,2% et un facteur de qualité RDS(ON)xQG réduit de 65,4%. Des performances qui amélioreraient sensiblement la correction de facteur de puissance et la conversion DC-DC dans des applications comme l'alimentation, les redresseurs solaires, la commande de moteur ou encore la charge de batterie. Les SiHK050N65E sont encapsulés en boîtier PowerPAK de 10x12mm doté d'une connexion Kelvin.
Bond générationnel pour les Mosfet 650 V de Vishay

© Vishay