Toshiba abaisse de 22 % la résistance de ses Mosfet pour l'automobile
Réalisé selon le procédé UMOS8 de la société, le TK100S04N1L en boîtier DPAK+ est crédité d'une résistance à l'état passant…
Réalisé selon le procédé UMOS8 de la société, le TK100S04N1L en boîtier DPAK+ est crédité d'une résistance à l'état passant…
Microsemi lance des mémoires flash Nor de 1 à 16 Mbits destinées aux environnements sévères comme le forage. (suite…)
L'américain opte pour le coeur Cortex-M0 pour remplir le créneau existant entre ses PSoC3 à coeur 8051 et ses PSoC5…
Le système d'exploitation Integrity et l'IDE Multi sont désormais disponibles pour les processeurs multicoeurs de Marvell. (suite…)
Encapsulées dans des boîtiers propriétaires, les dernières diodes Schottky de Microsemi sont caractérisées par une faible résistance thermique. (suite…)
Réalisé selon une technologie SiC, le dernier Mosfet de Cissoid est un modèle de 1200 V/10 A spécifié jusqu'à une…
Pour les environnements contraignants (fortes températures, radiations), l’américain a dévoilé deux convertisseurs de 3 A et 6 A à facteur…
Ces circuits mêlant coeurs Risc, DSP et FPGA visent notamment les systèmes de défense. (suite…)
L'américain étend sa gamme de processeurs Power Qoriwa pour l'habitacle. (suite…)
Toshiba lance un capteur d'images Cmos 1080p offrant une dynamique et un taux de transfert élevés. (suite…)
Lattice étend son offre en circuits logiques programmables à faible densité pour appareils nomades. (suite…)
L'américain présente une mémoire Mram de 1 Mbits offrant une bande passante de 52 Mo/s. (suite…)
Ces IGBT 1200 V en technologie NPT ciblent une large palette d'applications industrielles de forte puissance. (suite…)