NXP améliore le facteur de forme de ses Mosfet et de ses transistors bipolaires
La société lance une gamme de 25 modèles de Mosfet à faible RDS(on) et de transistors bipolaires à tension de…
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Membres de la famille µIPM, les deux derniers modules de puissance 500 V/10 A en demi-pont de l'américain s'adressent aux…
L'américain annonce une réduction de 30 % à 70 % du temps nécessaire pour compiler le code source sur ses…
Encapsulé dans un boîtier QFN de 5x5 mm, le TPA3131D2 de Texas Instruments fournit 7 W sur 4 Ohms, avec…
Dans un boîtier BGA de 15x15x5 mm, le LTM4633 regroupe contrôleurs à découpage, Mosfet de puissance, inductances et autres composants.…
Cette première mondiale ouvre la voie à des circuits à transistors 3D non limités au seul silicium. (suite…)
La société introduit trois modèles de 650 V, correspondant à des calibres en courant de 6 A, 8 A et…
Le récepteur IDTP9025 supporte le standard WPC 1.1 pour le rechargement sans fil des produits mobiles. Il intègre notamment un…
Proposés en versions simple, double et quadruple, les XR805x sont des produits de substitution aux amplificateurs opérationnels haute vitesse d'Analog…
L'américain lance trois nouveaux processeurs DaVinci destinés notamment aux caméras IP et à l'automobile. (suite…)
L'américain adopte le coeur 64 bts d'ARM pour ses Stratix 10 fabriqués en technologie Tri-Gate 14 nm par Intel. (suite…)
Dans les systèmes tirant leur énergie des paires Ethernet, le contrôleur LT4321 permet de remplacer les diodes par des Mosfet…
L'anglais fabrique ses premiers circuits mémoire dans la technologie FD-SOI 28 nm de ST. (suite…)