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Semi-conducteurs

Le 18/02/2014 à 9:32 par Frédéric Rémond

Vers un traitement audio plus frugal dans Android

Cadence lance une technologie héritée du rachat de Tensilica et permettant de décharger complètement le processeur hôte d'un système Android KitKat…

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Semi-conducteurs

Le 17/02/2014 à 11:13 par Frédéric Rémond

Les microcontrôleurs 32 bits de ST adoptent le Cortex M0+

STMicroelectronics lance des microcontrôleurs combinant un coeur 32 bits Cortex M0+, un convertisseur analogique-numérique à faible consommation et une interface…

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Semi-conducteurs

Le 14/02/2014 à 8:29 par Frédéric Rémond

ISSCC 2014 - AMD dévoile l'après-Bulldozer

AMD a présenté les détails de l’architecture x86 64 bits double cœur Steamroller en Cmos planaire 28 nm, laquelle succèdera…

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Semi-conducteurs

Le 13/02/2014 à 14:47 par Frédéric Rémond

ISSCC 2014 - Les CAN 14 bits ultra-rapides gagnent en précision

Analog Devices, a développé un CAN 14 bits 1 Géch./s offrant une marge dynamique de 86 dB. (suite…)

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Le 13/02/2014 à 12:00 par Frédéric Rémond

ISSCC 2014 - Les flash Nand adoptent le Cmos 16 nm

Micron et Hynix ont présenté des mémoires flash Nand MLC de 128 et 64 Gbits fabriquées en technologie Cmos planaire…

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Semi-conducteurs

Le 13/02/2014 à 9:11 par Philippe Dumoulin

International Rectifier simplifie la conception des systèmes d'éclairage à LED avec variateur

Réalisant la régulation de puissance côté primaire d'un pilote de LED, l'IRS2983 élimine un photocoupleur et d'autres composants. (suite…)

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Semi-conducteurs

Le 12/02/2014 à 18:56 par Frédéric Rémond

ISSCC 2014 - La Dram DDR4 basse consommation arrive

Samsung a développé une mémoire Dram DDR4 basse consommation de 8 Gbits fabriquée en Cmos 25 nm et délivrant jusqu’à…

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Semi-conducteurs

Le 12/02/2014 à 18:21 par Frédéric Rémond

ISSCC 2014 - Le Wi-Fi 60 GHz délivre 3 Gbit/s à 20 mètres

Broadcom a développé un jeu de circuits 802.11ad en Cmos 40 nm capable de délivrer 4,6 Gbit/s à 10 mètres…

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Semi-conducteurs

Le 12/02/2014 à 9:10 par Philippe Dumoulin

Fairchild abaisse les pertes de ses Mosfet canal P moyenne tension

Proposés dans des petits boîtiers de 3 mm de côté, les FDMC86xxxP permettent de réduire la dissipation de puisance jusqu'à…

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Le 11/02/2014 à 18:55 par Frédéric Rémond

ISSCC 2014 - La Sram s'intègre sur FinFET 14 nm

Samsung a présenté une mémoire Sram 6T basse consommation de 128 Mbits en technologie FinFET 14 nm. (suite…)

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Semi-conducteurs

Le 11/02/2014 à 12:24 par Philippe Dumoulin

Analog Devices compacte ses CNA de précision

L'AD5683R cible un large éventail d'applications dans les domaines du contrôle de processus industriels, de l'instrumentation, du médical, des infrastructures…

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Le 11/02/2014 à 2:19 par Frédéric Rémond

ISSCC 2014 - Intel porte les Xeon sur sa technologie FinFET

L'américain a présenté à San Francisco Ivytown, un processeur Xeon à 15 cœurs 64 bits fabriqué en FinFET 22 nm.…

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Semi-conducteurs

Le 10/02/2014 à 22:30 par Frédéric Rémond

ISSCC 2014 - IBM dévoile le Power8

L'américain présente son dernier processeur pour serveurs, 2,5 fois plus puissant que le précédent Power7+. (suite…)

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