1800W à 1GHz pour un transistor en GaN sur SiC
Oeuvre de Qorvo, le transistor RF de puissance QPD1025 est également caractérisé par un rendement supérieur aux LDMOS en silicium.…
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Le LTC5594 d'Analog Devices convient notamment aux plates-formes destinées aux infrastructures 5G, qui demandent une largeur de bande de 1GHz…
Destinée aux fabricants de smartphones, la plate-forme SkyOne LiTE de l’américain est composée de différentes briques modulaires, qui permettront de…
Oeuvre du californien Integra Technologies, le transistor Hemt IGT5259L50 délivre 50W crête entre 5,2 et 5,9 GHz. (suite…)
Conçu pour les systèmes de chauffage industriel, le BLF0910H9LS600 est proposé dans un boîtier céramique compact de type SOT502. (suite…)
Dans un boîtier de 6x6mm, le convertisseur de fréquence CMX975 associe notamment des mélangeurs, des synthétiseurs à PLL et leurs…
Le mélangeur actif LTC5562 d'Analog Devices offre une bande passante de 7GHz et un point d'interception du troisième ordre (OIP3)…
Vis-à-vis de leurs aînés, les circuits d'émission-réception LoRa annoncés par l'américain étendent la portée des liaisons sans fil, alors que…
L'américain va lancer mi-2019 le XMM 8060, le premier membre d'une série de modems radio 5G aptes à fonctionner dans…
Le MMIC MGFG5H3001 en technologie HEMT GaN du japonais fournit une puissance de 8W entre 27,5 et 31GHz. (suite…)
Oeuvre de Custom MMIC, le CMD241P4 est un amplificateur faible bruit en boîtier QFN fonctionnant dans la bande 2 à…
Caractérisé par une large bande passante et une excellente linéarité, le double mélangeur LTC5552 de Linear Technology/Analog Devices intègre un…
Zenon inaugure la nouvelle famille d'antennes Reflector du britannique Antenova. Une structure originale à deux couches électriquement isolées éviterait le…