L'Imec réalise un capteur de pression en SiGe polycristallin sur Cmos
Le centre de R&D belge remplace le silicium de la structure micro-usinée par du silicium-germanium, plus propice à la fabrication…
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A Villach (Autriche), la société a produit ses premiers semi-conducteurs de puissance sur des tranches minces de 300 mm de…
La dernière Journée Technique de l'Electronique du Gixel s'est articulée autour des trois thèmes suivants : génération, transformation et stockage…
Baptisée Newport, cette plate-forme combine différentes technologies en rapport avec la métrologie, la sécurité et les communications par courants porteurs…
Le sud-coréen passe ses processeurs pour smartphones en technologie Cmos 32 nm. (suite…)
Capable de supporter 200 V en inverse, le redresseur à diodes de STMicroelectronics est typiquement destiné aux alimentations AC-DC délivrant…
Les deux fabricants entendent mêler Dram et fonctions logiques dans des modules à liaisons TSV. (suite…)
Les derniers oscillateurs à quartz thermostatés du néo-zélandais cumulent un facteur de forme réduit et une faible consommation de 350…
L'américain combine un coeur Cortex-M3 à 100 MHz et jusqu'à 500 000 portes logiques programmables dans un boîtier de 11…
Proposé en trois versions se différenciant selon leur couverture de fréquence, le LTC6946 avec VCO intégré se distingue par ses…
Le fabricant franco-italien et le centre de R&D américain ont développé un processeur 32 bits embarqué ne consommant que 10,2…
La montée en puissance des écrans plats haute résolution dans les téléviseurs et surtout dans les tablettes tactiles et les…
Associant un transceiver RF et un microcontrôleur 8 bits dans un boîtier de 8 x 8 mm, le MC12311 adresse…