Seulement 1,27 V de tension directe pour des diodes Schottky 1200 V
Dix nouvelles diodes Schottky en carbure de silicium 1200V sont venues agrémenter le catalogue de Toshiba. Ces nouveaux modèles TRSxxx120Hx…
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Coutumier des transistors Mosfet canal N combinant une tension moyenne et une faible résistance pour des applications industrielles ou grand…
Le Français Wise-integration, spécialiste des composants et solutions en nitrure de gallium (GaN), a nommé Thomas Beauchêne au poste de…
STMicroelectronics en est déjà à sa quatrième génération de circuits en carbure de silicium, avec des composants qui vont monter…
Le fabricant de circuits de conversion d'énergie XP Power s'est doté d'un nouveau siège social nord-américain à San José (Californie).…
Magnachip Semiconductor vient d'étendre son catalogue de transistors Mosfet 40V en direction des commandes de moteurs automobiles avec quatre nouveaux…
L'Anglais Pulsiv, spécialisé dans la commande de composants en nitrure de gallium (GaN), assure battre des records de rendement avec…
La première usine de composants en nitrure de gallium (GaN) sur tranches de 300mm est désormais opérationnelle. Infineon Technologies vient…
Depuis son lancement en 2001, la famille de relais de puissance G5Q d'Omron s'est écoulée à plus de 500 millions…
Rohm et United Automotive Electronic Systems (UAES), fournisseur automobile chinois, viennent de signer un accord de fourniture à long terme…
L'électronique de puissance autrichienne se consolide. Le fabricant de modules Recom vient en effet de racheter son compatriote Leco, spécialisé…
Avec sa huitième génération de doubles transistors Mosfet MXT LV à basse tension, Magnachip Semiconductor inaugure une nouvelle technologie propriétaire…
Les modules de puissance emploient communément plusieurs transistors Mosfet connectés en parallèle pour appréhender des puissances élevées. Lorsque ces transistors…