NXP optimise ses amplificateurs RF GaN pour les stations MIMO à 32 antennes
Les derniers amplificateurs RF de puissance 32T32R de NXP Semiconductors profitent d'une nouvelle génération de technologie GaN (nitrure de gallium)…
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Deux nouvelles variantes viennent enrichir la famille de convertisseurs DC-DC au format quart de brique BMR491 de Flex Power Modules.…
Nexperia a annoncé le lancement de sa première installation de R&D en Amérique du Nord à Dallas, au Texas. Ce…
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Le Californien Power Integrations, spécialiste des composants de gestion d'alimentation et de puissance, vient d'inaugurer son nouveau site de Biel…
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La filiale Toshiba Electronic Devices & Storage va augmenter ses dépenses d’investissement à 839M$ (100 milliards de yens) au cours…
Rohm démarre la production en volume de transistors Hemt en nitrure de gallium (GaN) 150V dont le principal atout réside…
Des alimentations industrielles 10/15W 15% plus compactes et avec un courant de fuite réduit de moitié : telles sont les…
Si la majeure partie des transistors de puissance sont caractérisés pour une tension culminant entre 600 et 900V, certaines applications…
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Infineon Technologies proposait déjà un outil baptisé Iposim (Infineon power simulation) permettant de calculer les pertes et le comportement thermique…