Lors de l’édition munichoise du Samsung Foundry Forum 2023, le Sud-Coréen en a profité pour faire le point sur ses technologies dédiées à la spécialité locale, c’est-à-dire l’automobile. En premier lieu, le fabricant a annoncé le développement d’une mémoire Mram embarquée en process 5nm, avec l’objectif d’en lancer la production en 2027. Initiée en 2019 en FD-SOI, alors en 28nm, cette mémoire eMram sera déclinée en 14nm l’an prochain et en 8nm d’ici 2026. Entre ces deux dernières étapes, la densité progresse de 30% et la vitesse de 33%.

Concernant les circuits numériques complexes, Samsung continue de planifier un process 2nm pour 2026. Le fabricant s’active également en puissance : son process BCD sur tranches de 200mm, actuellement en 130nm, passera au 90nm en 2025, avec à la clé une réduction de 20% de la surface de puce. Enfin, l’utilisation d’une isolation en tranchées profondes permettra de faire travailler les composants BCD sous 120V au lieu de 70V aujourd’hui, avec un PDK disponible en 2025.