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Une mémoire à changement de phase de 512 Mbits
Prenant de vitesse Numonyx, le pionnier dans le domaine, Samsung Electronics vient de lancer la production de volume de mémoires à changement de phase (Pram) de 512 Mbits. En technologie 60 nm, les Pram 512 Mbits du Coréen sont 7 à 10 fois plus rapides que les mémoires flash NOR pour l’effacement et la réécriture et présentent un temps…
