Un nouveau record de miniaturisation en mémoire DDR3

Le 01/10/2008 à 0:00 par Pascal Wilhelm
C’est au tour de Samsung Electronics de s’afficher sur le marché des composants mémoire Dram, mettant en avant sa toute dernière réalisation de circuit DDR3. Pour le promoteur coréen, il s’agit de la plus petite puce 2 Gbits jamais échantillonnée à ce jour. Basés sur un processus géométrique de classe 50 nm, ces nouveaux composants présenteraient un…
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