Basés sur une structure de cellules en bandes, ces transistors Mos de puissance, destinés aux convertisseurs et alimentations secteurs, améliorent leur facteur de mérite en commutation de 21 % à 39 % par rapport aux modèles précédents.
Tenue en tension : 200 V et 500 V
Tenue en courant : 15 A à 20vA
Charge de grille : 20 nC à 42 nC
Résistance série à l'état passant : 0,14 O à 0,265 O
Boîtier : D-Pak, TO-220 et TO-3P
Références : FQP18N20V2, FPQF18N20V2, FPQ18N50V2
Fabricant : Fairchild Semiconductor
Rens. : www.fairchildsemi.com