Transistors Mos de puissance haute tension

Le 13/12/2002 à 0:00 par La rédaction

Basés sur une structure de cellules en bandes, ces transistors Mos de puissance, destinés aux convertisseurs et alimentations secteurs, améliorent leur facteur de mérite en commutation de 21 % à 39 % par rapport aux modèles précédents.

Tenue en tension : 200 V et 500 V
Tenue en courant : 15 A à 20vA
Charge de grille : 20 nC à 42 nC
Résistance série à l'état passant : 0,14 O à 0,265 O
Boîtier : D-Pak, TO-220 et TO-3P
Références : FQP18N20V2, FPQF18N20V2, FPQ18N50V2
Fabricant : Fairchild Semiconductor
Rens. : www.fairchildsemi.com

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