La lecture de cet article est réservée aux abonnés.
Connectez-vous ou abonnez-vous pour y accéder.
Transistors MOS de puissance 600 V
FCD7N60, FCD5N60, FCD4N60 de Fairchild Semiconductor Destinés aux ballasts électroniques de faible encombrement, ces transistors Mos de puissance 600 V sont caractérisés par une résistance à l’état passant de 0,6 Ohm. Charge de grille : 23 nC typique Tenue en courant : 7 A continu à 25 °C, 4,4 A continu à 100 °C Résistance…
