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Transistors de puissance à haut rendement
FDB2614, FDB2710 de Fairchild Semiconductor Destinés aux applications de gestion d’énergie comme les écrans plasma, ces transistors de puissance ont été configurés pour optimiser le rendement de conversion d’énergie. Tenue en tension : 200 V, 250 VRésistance à l’état passant : 22,0 mO, 36,3 mO typiqueBoîtier D2PAKRens. : www.fairchildsemi.com
