Transistor Mos de puissance 25 V

Le 26/11/2009 à 0:00 par La rédaction
SiR476DP de Vishay Destiné aux applications de puissance fonctionnant sous faible tension ce transistor de puissance se distingue par sa faible résistance à l’état passant. Résistance à l’état passant : 2,1 mΩ pour une tension de commande de 4,5 V, 1,7 mΩ pour une tension de commande de 10 V Boîtier PowerPak SO-8 Rens.: +33 1 30 09 41 10
La lecture de cet article est réservée aux abonnés.
Connectez-vous ou abonnez-vous pour y accéder.
Copy link
Powered by Social Snap