IRF6641TRPbF d’International Rectifier Destiné aux convertisseurs de tension à entrée 36 V à 75 V, ce transistor Mos de puissance 200 V permettrait d’atteindre un rendement de 95 %. Résistance à l’état passant : 51 mO pour une tension de commande de 10 VCharge de grille typique : 35 nCTenue en courant : 25 ABoîtier DirectFet de 0,7 mm d’épaisseur et de l’empreinte d’un SO-8Rens. : dbraun1@irf.com