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TRANSISTOR IGBT À DIODE SCHOTTKY SiC
Ciblant l’automobile (chargeurs embarqués, correction de facteur de puissance, conversion DC-DC et DC-AC), ce module 650 V est constitué d’un IGBT Trenchstop 550 A et d’une diode Schottky en carbure de silicium. • Rendement maximal : 95 à 97 % • Pertes en découpage réduites de 30 % par rapport aux montages silicium Réf. CoolSiC…
