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STMicroelectronics et le CEA développent la technologie GaN-sur silicium
Cette coopération vise à développer et industrialiser des architectures de diodes et transistors de puissance. La technologie sera transférée du CEA vers une ligne pilote 200 mm de ST à Tours. < ST mettra en place une ligne de fabrication incluant l'hétéro-hépitaxie nitrure de gallium sur silicium. S TMicroelectronics et le CEA viennent d’annoncer leur…
