Samsung Electronics, premier fournisseur mondial de mémoires flash, vient de lancer l’échantillonnage d’une version plus rapide de sa flash NAND 2 Gbits en technologie Cmos 90 nm. Le débit maximal a ainsi été porté à 24,1 Mo/s au lieu de 16,4 Mo/s et le temps d’accès séquentiel en lecture ou en écriture est désormais de 30 ns (50 ns à l’origine).…