Renesas Electronics vient d’annoncer les premiers pas de la production en série de mémoires flash pour microcontrôleurs dans une technologie de fabrication 16/14 nm. Ce process SG-MONOS (split-gate metal-oxide nitride oxide silicon) fait appel à des transistors FinFET tridimensionnels, tels que ceux utilisés dans les technologies de pointe chez Intel, Samsung ou encore TSMC. La…