Moins de 1mOhm de résistance à l’état passant pour des Mos canal n !

Le 09/07/2009 à 12:22 par Françoise Grosvalet
Nouveau record dans le domaine des Mos de puissance. Après Vishay (*), NXP Semiconductors vient d’introduire ce qu’il considère comme le Mos… Nouveau record dans le domaine des Mos de puissance. Après Vishay, NXP Semiconductors vient d’introduire ce qu’il considère comme le Mos canal n présentant la plus petite résistance à l’état passant de l’industrie.…
La lecture de cet article est réservée aux abonnés.
Connectez-vous ou abonnez-vous pour y accéder.
Copy link
Powered by Social Snap