L’Américain SST a signé un accord de développement avec le Taïwanais Powerchip Semiconductor (PSC), spécialiste des Dram, afin d’accélérer la mise au point de sa troisième génération de mémoires flash. Cette troisième génération sera adaptée à la technologie de fabrication Cmos 0,11 µm et devrait ensuite être portée en 90 nm puis 65 nm. La première de ces…