HN29V512A de Renesas Technology Cette mémoire flash en technologie Cmos 0,13 µm se distingue par un temps d’écriture rapide de 4 Mo/s et une utilisation simplifiée grâce à l’intégration sur la puce de fonctions de gestion telles que correction d’erreur, amorçage et autres. Temps d’accès en écriture : 50 ns après un premier accès en 90 µs Tension d’alimentation : 2,7 V…