LES TRANSISTORS DE PUISSANCE EN CARBURE DE SILICIUM

Le 29/05/2017 à 10:00 par Philippe Dumoulin
Le carbure de silicium s’impose de plus en plus comme un matériau semi-conducteur de choix pour réaliser des composants de puissance haute tension, performants et robustes. L’offre en transistors en SiC, qu’ils soient du type Mosfet, Jfet ou bipolaire, prend corps pour répondre à de nouvelles exigences en termes de réduction des pertes énergétiques ou…
La lecture de cet article est réservée aux abonnés.
Connectez-vous ou abonnez-vous pour y accéder.
Copy link
Powered by Social Snap