Réalisée en Cmos 50 nm, la première Dram à interface DDR3 de capacité 4 Gbits est l’œuvre de Samsung Electronics. Selon la société, du fait de son fonctionnement sous une tension d’alimentation de 1,35 V seulement, cette mémoire serait peu gourmande en énergie, et ce sans compromis sur les performances. Effectivement, elle offrirait un débit de données de…