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IBM promet des circuits Cmos 40 % à 65 % plus rapides avant 2010
Silicium contraint sur isolant (SSDOI) et substrat à orientation cristalline hybride permettent d’envisager des circuits de 40 % à 65 % plus performants que la normale à génération technologique donnée. Des chercheurs d’IBM ont réussi à fabriquer expérimentalement le premier transistor en silicium contraint directement sur isolant (SSDOI, pour strained silicon directly on insulator dans la terminologie…
