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Des transistors silicium 0,5THz à l’étude en Europe
Un projet européen appelé DOTFIVE vient d’être lancé pour développer des transistors bipolaires à hétérojonction SiGe fonctionnant à une fré… Un projet européen appelé DOTFIVE vient d’être lancé pour développer des transistors bipolaires à hétérojonction SiGe fonctionnant à une fréquence maximale de 0,5THz (500GHz) à température ambiante, alors que l’état de l’art se situe aujourd’hui…
