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Cree échantillonne un transistor GaN 90 W très large bande
Le spécialiste américain des semiconducteurs exotiques Cree Research vient de présenter un transistor d’une puissance saturée de 90 W sur une bande passante de 2 GHz. Le silicium et l’arséniure de gallium ont encore de beaux jours devant eux pour les applications de moyenne puissance et sous pression financière. Mais pour les applications aux exigences très particulières,…
