Le grenoblois Soitec et le chinois Silian s’associent pour développer ensemble des pseudo-substrats en nitrure de gallium (GaN) censés permettre la fabrication économique de diodes électroluminescentes. Soitec, société grenobloise spécialiste du silicium sur isolant (SOI) et des systèmes solaires à concentration (CPV), vient de signer un accord de partenariat avec l’entreprise chinoise Chongqing Silian Optoelectronics Science & Technology (Silian), fournisseur de matériaux et de divers produits et systèmes destinés à l’industrie de l’éclairage. Ce partenariat porte sur le développement conjoint de pseudo-substrats en nitrure de gallium (GaN) utilisant une méthode d’épitaxie en phase vapeur à base d’hydrures ou HVPE (pour Hydride Vapor Phase Epitaxy) développée par Soitec. Selon les deux nouveaux partenaires, cette technologie et ces pseudo-substrats de GaN permettent la production de LED performantes à coût réduit par rapport à la technique d’épitaxie en phase vapeur utilisant des organométalliques (MOVPE).

Le travail conjoint des deux sociétés devrait permettre la validation des concepts de fabrication et la commercialisation de ces pseudo-substrats en nitrure de gallium utilisant les substrats de saphir de Silian et la technologie HVPE de Soitec. Les deux partenaires envisagent de fabriquer les premiers échantillons dès cette année.

“Cette évolution de la technologie HVPE inaugure un modèle économique révolutionnaire grâce auquel les fabricants de LED pourront libérer jusqu’à 60 % de leur capacité MOVPE. Ces derniers pourront alors se concentrer sur l’amélioration des couches les plus délicates, à savoir la partie électroluminescente des diodes“, indique André-Jacques Auberton-Hervé, Pdg de Soitec, qui précise que, “outre cette opportunité commerciale, nous explorons la possibilité d’élargir notre coopération avec Silian dans le domaine de l’éclairage à LED, en utilisant l’expertise en croissance épitaxiale accumulée par Soitec Phoenix Labs, notre filiale basée en Arizona.“