L’américain lance son premier amplificateur GaN 350 W, destiné aux infrastructures cellulaires 2,3 – 2,7 GHz. Freescale Semiconductor s’apprête à échantillonner l’AFG25HW355S, son premier amplificateur de puissance RF en nitrure de gallium (GaN). Cet amplificateur 350 W fonctionne dans la bande 2,3 – 2,7 GHz et délivre jusqu’à 56 dBm de puissance avec un gain de 16 dB et un rendement crête de 50 %.

Parmi les avantages du GaN cités par le fabricant figurent la réduction de l’encombrement et des pertes parasites, un fonctionnement à fréquences supérieures et une densité de puissance améliorée. L’AFG25HW355S vise essentiellement l’infrastructure cellulaire.