Faisant appel à une technologie carbure de silicium pour les diodes Schottky et les Mosfet, ces modules 1200 V/100 A visent à remplacer les modules IGBT silicium traditionnels. Rohm Semiconductor annonce la production de masse de modules de puissance 1200 V/100 A, en configuration bras de pont, faisant appel à une technologie carbure de silicium, tant pour les diodes Schottky que pour les Mosfet.

Selon la société, vis-à-vis des modules IGBT silicium conventionnels, les pertes en régime de commutation peuvent être réduites jusqu’à hauteur de 85 % dans les équipements industriels.
Par ailleurs, un fonctionnement jusqu’à 100 kHz est envisageable, soit bien au-delà de ce que l’on s’autorise avec des modules IGBT.
Ces avantages se traduisent, au niveau de l’application, par une gestion thermique simplifiée et par une réduction du volume occupé.