Ce fabricant néerlandais d’équipements de production de semi-conducteurs, classé numéro un mondial en 2011, a réalisé un chiffre d’affaires de 1,252 milliard d’euros au premier trimestre 2012. Il prévoit de livrer onze équipements de lithographie aux UV extrêmes NXE 3300B entre la fin de 2012 et l’été 2013.
Le fabricant néerlandais d’équipements de production pour semi-conducteurs ASML, classé premier mondial en 2011, a réalisé, au premier trimestre 2012, un chiffre d’affaires de 1,252 milliard d’euros, en hausse de 3 % par rapport au 4è trimestre 2011 et en recul de 13,8 % par rapport au premier trimestre 2011.
La société annonce également un bénéfice net de 282 millions d’euros quasiment égal à celui du 4è trimestre 2011 et en recul de 28 % sur un an.
Au cours du premier trimestre 2012, ASML a vendu 47 nouveaux équipements et 5 matériels d’occasion contre respectivement 35 et 6 au 4è trimestre 2011.
Sur les 52 équipements commercialisés au premier trimestre de cette année, seize sont des systèmes de lithographie à UV 193 nm en immersion représentant un chiffre d’affaires de 701 M€, et vingt neuf sont des équipements KrF (à rayons ultraviolets de longueur d’onde 248 nm), modèles de la génération précédente donc, représentant 413 M€.
Le reste se décline en un système aux UV extrêmes NXE 3100 (à UV extrêmes de longueur d’onde 13,5 nm), trois équipements ArF Dry (à ultraviolets de longueur d’onde 193 nm mais n’incluant pas l’immersion) et trois matériels I-Line (à ultraviolets de longueur d’onde 365 nm).
Les ventes de ce premier trimestre 2012 ont été tirées par la demande en provenance des fonderies et des fabricants de circuits intégrés hors mémoires; ensemble, ils ont compté pour 75 % du chiffre d’affaires d’ASML.
Le reste a été constitué par la demande en provenance des fabricants de mémoires.
Le découpage du chiffre d’affaires par segments demandeurs devrait rester le même au cours des deux prochains trimestres, selon ASML. Et à la fin de l’année, les fabricants de mémoires devraient s’équiper en matériels dédiés aux technologies en deçà de 20 nm (mémoires flash Nand) et en deçà de 30 nm (mémoires Dram).
“La demande actuelle en 28 nm est importante“, indique ASML.
Elle sera suivie dans l’année par une demande issue du démarrage d’une production en 20 nm. Cette technologie 20 nm utilisera pour les couches critiques des systèmes 193 nm en immersion à double séquence. Dans ces systèmes, la gravure est réalisée à partir de deux masques, chacun des deux étant porteur de la moitié du motif à graver, ce qui permet une gravure plus fine qu’avec un seul masque.
En 2013-2014, les fabricants de semi-conducteurs commenceront aussi à utiliser les outils aux UV extrêmes pour les couches critiques du 20 nm.
ASML annonce ainsi des premières livraisons de systèmes de lithographie NXE 3300B au 4è trimestre 2012. Ces appareils font suite aux modèles NXE 3100 destinés, eux, à tester la technologie; six machines de ce type sont aujourd’hui en fonctionnement dans des laboratoires de recherches (CEA-Leti, Imec…) et chez des fondeurs (TSMC…). Aujourd’hui, ASML a onze NXE 3300 B en commande, livrables entre la fin de cette année et l’été 2013.
Ces outils serviront aussi, évidemment, pour les nœuds technologiques 14 nm et 10 nm.
ASML précise qu’il continue ses travaux en UV extrêmes : il compte augmenter la vitesse de traitement des wafers jusqu’à atteindre 60 wafers par heure au 2è semestre 2012.
