Samsung et Hynix détaillent leur prochaine génération de mémoires Dram. Samsung a profité de la manifestation ISSCC qui se tient actuellement à San Francisco pour présenter une puce Dram DDR4 de 4 Gbits délivrant 3,2 Gbit/s par broche et fabriquée en technologie 30 nm. Outre le débit de données, doublé par rapport à la DDR3, la norme DDR4 impose une tension d’alimentation de seulement 1,2 V et une interface d’entrée/sortie modifiée. Samsung a mis en oeuvre un bus données à inversion et une double correction d’erreurs : des mécanismes qu’on retrouve déjà dans certaines GDDR5, mais qui sont ici implémentés de manière à réduire l’encombrement sur la puce et les délais induits, assure le Sud-Coréen. In fine, la puce utilise 15% d’énergie en moins que son équivalent DDR3 dans la même technologie de fabrication.

De son côté, Hynix Semiconductor a détaillé un modèle 2 Gbits délivrant 2,4 Gbit/s par broche sous une tension de seulement 1 V. Cette puce produite en technologie 38 nm a recours aux mêmes techniques que celle de Samsung : bus données à inversion, correction d’erreur CRC, pages de données divisées par deux par rapport à la DDR3. Résultat : une consommation de courant réduite de 20% environ en moyenne par rapport à la DDR3 à débit de données égal.