Destinés aux appareils mobiles ultra-plats, les dernières diodes Schottky 0,5 A à 1,5 A de NXP font appel à un nouveau boîtier dont les dimensions sont de 1,6 x 0,8 x 0,37 mm seulement. NXP Semiconductors a dévoilé une nouvelle génération de diodes Schottky caractérisées par un faible facteur de forme.
Couvrant la plage 0,5 A à 1,5 A, ces diodes sont en effet encapsulées dans des boîtiers plastique DFN1608D-2 (SOD1608) dont les dimensions sont de 1,6 x 0,8 mm, pour une épaisseur de 0,37 mm seulement.
Du fait de la présence d’un dissipateur sous le boîtier CMS, les performances thermiques sont améliorées. Par ailleurs, à la différence des solutions standard, les contacts sont situés sur le côté du boîtier, et non sous celui-ci, afin de permettre l’inspection visuelle des brasures.

La série est forte de six éléments, dont les tenues en tension sont de 20 V ou 40 V, optimisés pour une faible tension directe (410 mV) ou pour un courant inverse très bas.
D’un côté, les PMEG2005EPK (20 V, 0,5 A) et PMEG2010EPK (20 V, 1 A) sont actuellement en production de masse.
De l’autre, les PMEG2015EPK (20 V, 1,5 A), PMEG4005EPK (40 V, 0,5 A), PMEG4010EPK (40 V, 1 A) et PMEG4015EPK (40 V, 1,5 A) sont en phase d’échantillonnage, pour une mise en production en mars. Toutes ces diodes sont qualifiées AEC-Q101.

Parmi les applications typiques visées : les chargeurs de batterie, les alimentations à découpage, les convertisseurs DC-DC, les systèmes de rétroéclairage des écrans à LED des appareils portables.