Infineon introduit des Mosfet 40 V et 60 V de type OptiMOS offrant une densité de puissance en hausse. Pour le redressement synchrone des alimentations de puissance, le nombre de transistors requis sera de la sorte réduit. Lors de la manifestation APEC (Applied Power Electronics Conference) qui se tient actuellement à Orlando (Floride), Infineon Technologies a dévoilé des Mosfet 40 V et 60 V issus de la famille OptiMOS.
Ces transistors de puissance sont optimisés pour le redressement synchrone des alimentations à découpage mises en œuvre dans les serveurs et les ordinateurs de bureau.
Mais, selon la société, ils trouveront aussi leur juste emploi dans une palette étendue d’applications industrielles comme le contrôle moteur, les onduleurs solaires et les convertisseurs DC-DC à fréquence de commutation élevée.
Ces OptiMOS offriraient une résistance à l’état passant et un facteur de mérite (le produit de RDS(on) par la charge de grille Qg) de 35 % et 45 % inférieurs aux valeurs affichées par les produits actuels comparables.
Les modèles 40 V sont proposés en boîtiers SuperSO8 et S3O8 (3 x 3 mm), à des prix unitaires compris entre 0,5 $ et 1,05 $, par lot de 10 000 pièces. Les RDS(on) évoluent entre 1 mOhm et 2,3 mOhm.
Encapsulés dans des boîtiers SuperSO8, les versions 60 V sont caractérisées par une résistance à l’état passant de 1,6 mOhm ou 2,8 mOhm. Ces Mosfet sont disponibles au prix de 0,85 $ ou de 0,65 $ l’unité, pour les quantités indiquées précédemment.
D’autres formats de boîtiers sont par ailleurs proposés.
