Cet événement a pour objectif de rapprocher et faire dialoguer des chercheurs et industriels des deux bouts de la chaîne : les concepteurs et fabricants d’un côté et les donneurs d’ordre et clients utilisateurs de l’autre.

Arcsis (Association pour la recherche sur les composants et systèmes intégrés sécurisés) organise, avec le soutien de l’Ecole nationale supérieure des mines de Saint-Etienne, les 17 et 18 novembre prochains au Centre microélectronique de Provence Georges-Charpak de Gardanne, un séminaire dédié aux mémoires non-volatiles embarquées. Cet événement a pour objectif de rapprocher et faire dialoguer des chercheurs et industriels des deux bouts de la chaîne : les concepteurs et fabricants d’un côté et les donneurs d’ordre et clients utilisateurs de l’autre, autour de ce type de composants.

Des spécialistes de l’industrie et de la recherche dans le domaine des mémoires non volatiles interviendront. Les participants pourront exposer un poster et disposer d’un stand pour une meilleure visibilité de leur entreprise.

Avec 200 milliards de dollars chaque année, le marché des mémoires (Dram, Sram et flash) est un domaine clé dans l’évolution de la microélectronique. Ce marché englobe l’électronique de cibles très différentes telles que le grand public, les transports, les applications médicales et spatiales et la robotique en général… La technologie actuelle des mémoires non-volatiles est dominée par les mémoires flash qui sont utilisées dans les applications portables (appareils photos numériques, clés USB, etc.).

L’enjeu majeur réside dans l’objectif de trouver une mémoire universelle qui remplacera toutes les autres. Elle doit être dense comme les Dram, rapide comme les Sram et non-volatile comme les flash.

Informations et inscriptions : Claire Négrier, chargée de communication et animation Arcsis, mail : contact@e-nvm.org, tél : 04 42 53 81 50.